2月上旬Toshiba/SanDisk在International Solid State Circuits Conference (ISSCC)活动中宣布将于今年三、四月间推出43纳米制程的16Gb MLC型芯片（其面积比56纳米的16Gb MLC少百分之三十），并预计在使用同样43纳米制程的条件下于第三季推出32Gb MLC型芯片。另一方面，现有56纳米制程也将在三、四月间开始生产3 bit per cell (x3)的MLC型芯片，在同样12吋晶圆上x3的颗粒数将比现有标准MLC型（2 bit per cell）颗粒数多出百分之二十以上。这样的宣布无疑是表示该阵营目前仍是市场各主要供货商中制程开发速度最快的厂商，也一举开启今年各NAND Flash供货商的制程技术进入4x纳米竞赛的阶段。
过去数年，借助NAND Flash制程每年往前推进一个世代和各厂商大举兴建12吋晶圆厂的条件下，各种使用NAND Flash作为储存媒介的应用如：标准记忆卡、随身碟、MP3/PMP、手机等产品的储存容量快速增加。以MP3/PMP为例，2005年苹果推出内建NAND Flash的iPod nano时，容量有1、2、4GB三种，2007年9月第三代iPod nano推出时其储存容量推升至4和8GB，而当时第一代iPod nano 4GB的售价是249美元，如今第三代iPod nano 8GB的售价仅199美元。目前iPod家族中使用NAND Flash容量最高的产品已不是iPod nano而是iPod Touch，容量已提升至32GB，其价格499美元比第一代iPod nano售价多出一倍，但储存容量却多了七倍之多。 上述iPod的NAND Flash储存容量和价格的变化都在不到三年的时间内发生，由此我们可清楚地知道NAND Flash制程的往前推进和12吋晶圆厂的兴建对其相关应用的影响性相当地大。如今Toshiba/SanDisk阵营宣布即将量产43纳米的16Gb MLC型芯片和56纳米的16Gb x3型芯片，我们相信往后数年终端市场的消费者将可以相对低廉的价格买到更高储存容量的NAND Flash相关应用，就如同iPod在过去三年所发生的价格和储存容量的变化一样。
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