力晶于9月8日傍晚正式宣布将于第四季减产DRAM总产能约10%-15%，就力晶整体产能来分析，目前力晶产能约130K(P1+P2+P3)，含给尔必达的部份， 约占全球产出10%-15%，因此所减少的产出预估占全球产出的1%-2%左右。 在九月初， 现货与合约价双双大跌， DDR2 1Gb现货价已跌至接近集邦科技所预估现金成本约1.3-1.5美元. 在2007年第四季DDR2 512Mb跌破了现金成本迫使DRAM厂转进DDR2 1Gb颗粒以降低成本，但随着DRAM的价格持续滑落，目前DDR2 1Gb的价格转眼又将跌至现金成本。 尽管力晶的减产短期内对目前供过于求的状况改善不大，但力晶仍希望此减产的决定可以抛砖引玉，期待其它DRAM厂也跟进减产，并减缓制程转换的速度，以让DRAM产业快速复苏。要转进5Xnm制程，每一万片的产能要再投入一亿美金投资在设备及制程研发，然后转进5xnm 并无法确保未来的获利。 去年，DRAM厂加速制程转换的速度而让成本下降了20%-30%，然而价格下滑的速度却比成本下降的速度更快，虽然DRAM厂继续转进5Xnm，但同时现货与合约价格却已跌至1.5-1.6美元，已低于了5Xnm制程的制造成本1.8美元。 「目前快速转进5Xnm制程意义不大，若巨额的投资无法在未来获利。」力晶董事长黄崇仁表示「DRAM商应快速减产使DRAM产业迅速复苏」。他进一步呼吁。 2007年DRAM厂大幅亏损已让DRAM产业往下修正2008年资本支出达40%，今年奇梦达也下修DRAM位成长率约20%，从营收来分析，奇梦达的市占率已由2006年的第三季16.9%下滑至今年第二季的9.2%，然而三星今年DRAM的位成长为100%，海力士的DRAM供给率成长至近60%， 在将Nand Flash的产能移至DRAM产能后，而瑞晶产能达每月近八万片，集邦科技预估整体DRAM产业的位成长率仍高达65%-70%，供过于求的状况持续。 展望2009年，部份DRAM厂仍计划增加产能与转进5Xnm制程。但DRAM厂将面临着经济不景气，高负债比与紧缩的资金压力，根据各家的DRAM厂所公布的2009年产能与制程转进计划，预估DRAM产业的位成长率为40%+，如果DRAM厂可以减缓资本支出或是暂缓增加DRAM产能，DRAM位成长率有机会可以下修至30%也有助于DRAM颗粒价格的反弹。
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